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时间:2024-06-19 01:37:07 来源:网络整理 编辑:娱乐
极品飞车手机版下载三星今天宣布,该公司已经收购美国MRAM(磁阻随机存取存储器)厂商Grandis。Grandis的非挥发性存储技术是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存未来的竞争者。北京时间8月3日消息,据国 斗战神
北京时间8月3日消息,阻随据国外媒体报道,机存三星今天宣布,取存该公司已经收购美国MRAM(磁阻随机存取存储器)厂商Grandis。星收
Grandis的购美国非挥发性存储技术是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存未来的竞争者,芯片能耗更低,磁储器厂商斗战神性能更高。阻随但是机存,目前大规模制造MRAM芯片的取存成本过高。
三星称,星收Grandis将被整合到研发部门中。购美国三星相关研发部门“专注于开发新一代存储技术,磁储器厂商评估新型半导体材料和结构的长期商业价值”。
三星和Grandis没有披露这一交易进一步的详细资料。Grandis成立于2002年,有约25名员工,尚未发售一款产品。
Grandis业务发展副总裁亚历克斯•德利斯科尔-史密斯(Alex Driskill-Smith)表示,通过去年与Hynix Semiconductor达成的开发协议,该公司生产出了首款54纳米芯片。Grandis预计,未来5年该公司的生产工艺将发展到20纳米,甚至更先进。
Grandis的MRAM技术比传统技术更先进。传统MRAM芯片的工艺一直是99纳米。
据德利斯科尔-史密斯称,与廉价的NAND闪存芯片相比,MRAM芯片写数据的能耗要低得多,“MRAM在许多方面要好于NAND闪存,NAND闪存芯片在改变每个存储位的状态时需要15伏至20伏的电压,需要的时间量级为微秒,甚至达到毫秒”
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